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一种SONOS存储器的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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一种SONOS存储器的制备方法.pdf

    本发明提供一种SONOS存储器的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次堆叠有ONO层和栅极材料层，ONO层和栅极材料层外侧的半导体衬底上具有硅化物阻挡层区域；形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层覆盖硅化物阻挡层区域和栅极材料层；对硅化物阻挡层注入锗离子，锗离子的注入能量为预设能量取值的1.4倍，预设能量取值为xx，可以减少ONO层的边界处由于工艺波动、应力或其他原因产生刺突，增加了ONO层的边界处的均匀性，减少在浮动栅中产生的漏电电子，从而减少了水平堆积产生的隧道热电子，最终减少电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116546822 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202310392876.4 (22)申请日 2023.04.13 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址

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