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集成电子器件.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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集成电子器件.pdf

    本公开的实施例涉及集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极/漏极区域，其具有电阻部分；第一端子，其耦合到第一电压(例如，参考电压)并且形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第一侧上；以及第二端子，其生成代表集成电子器件的温度的电压，该第二端子形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第二侧上。调整电路将调整电压生成为具有取决于控制电压和第二端子所生成的电压的值。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209993598 U (45)授权公告日 2020.01.24 (21)申请号 20192

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