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PIN二极管和静电保护结构.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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PIN二极管和静电保护结构.pdf

    一种PIN二极管和静电保护结构，其中所述PIN二极管，包括位于所述基底上的依次层叠的至少两层堆叠结构，每一层堆叠结构均包括：第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；位于所述第一半导体层上的第一本征层；位于所述第一本征层上的第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，第一类型与第二类型不同；位于第二半导体层上的第二本征层。使得相同的基底面积上使得形成的PIN二极管具有更大的结面积，使得结散热与导流能力有效增强，同时降低寄生电容。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209993566 U (45)授权公告日 2020.01.24 (21)申请号 20192

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