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- 2023-08-06 发布于四川
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本公开的实施例涉及垂直光电二极管和具有垂直光电二极管的光电转换器。垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学地耦合到在半导体材料层中形成的波导。本公开的实施例能够减少传输损耗、增加转换频率，从而提高数据传输速度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210015860 U
(45)授权公告日
2020.02.04
(21)申请号 20192
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