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- 2023-08-06 发布于四川
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本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括:第一半导体结构,包括交替层叠的多个介质层和多层晶圆;第一导电结构,垂直设置于所述第一半导体结构中,包括:第一孔,侧壁露出所述介质层;第二孔,垂直连接于所述第一孔,侧壁露出所述晶圆,所述第一孔的孔径大于等于所述第二孔的孔径;绝缘层,覆盖于所述第一孔的侧壁和所述第二孔的侧壁,同时连接所述介质层和所述晶圆,所述绝缘层的材料与所述介质层的材料相同;扩散阻挡层,覆盖于所述绝缘层;导电材料,填充于所述扩散阻挡层的环绕范围内;第二导电结构,横向设置于所述介质层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210015853 U
(45)授权公告日
2020.02.04
(21)申请号 20192
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