发光二极管.pdfVIP

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2023-08-06 发布于四川
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发光二极管.pdf

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本实用新型涉及一种发光二极管。该发光二极管包括层叠设置的铝氮化铟层、氮化硅层和第二N型氮化镓层。由于氮化硅层成网状结构，因此，层叠于氮化硅层上的第二N型氮化镓层即可通过该网状结构沿发光二极管的层叠方向生长，从而实现第二N型氮化镓层的三维生长。又由于铝氮化铟层的晶格与第一N型氮化镓层和第二N型氮化镓层的晶格相近因此，铝氮化铟层、氮化硅层与第二N型氮化镓层相配合，可以增强所述N型层传导电子的能力，进而增强所述发光二极管的发光效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210006753 U (45)授权公告日 2020.01.31 (21)申请号 20192