原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型提供了一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构，包括：一衬底+外延，一氧化层，一闸极氧化层，一多晶硅（Poly‑Si）层，一场氧化层，一第一掺杂区，一第二掺杂区，一第一次注入第一P+掺杂区，一第一次注入第二P+掺杂区，一介电质层(ILD)，一第二次注入第一P+掺杂区，一第二次注入第二P+掺杂区，一第一金属层，一第二金属层，本实用新型使用深离子植入技巧，改变电压崩溃时电流路径由原本的P‑掺杂区转向P+掺杂区方向流动，由于P+掺杂区阻值较小，使电流与路径阻值的乘积不易大于内建寄生双级晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210040207 U
(45)授权公告日
2020.02.07
(21)申请号 20192
文档评论（0）