SJ_T 2658.9-2015半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角.pdf

ICS31.080L 53SJ备案号：52036-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.9—2015代替SJ/T 2658.9—1986半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle2016-04-01实施2015-10-10发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.92015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；第5部分：串联电阻NRORMATION第6部分：辐射项RY辐射通量第7部分：第8部分；辐射强第9部分辐射强度角：第10调制带TECHNOL第11间应时：峰值发第1分和光谱辐射带宽；第邱分辐射功温度系数第结温；部分1第热阻；第1光电转换I23的第本部分为SJT2658本部分按照2009《标准乍导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。GB-1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的本部分代替SJ/测试方法》，除编辑修改外主要技术变化如下：修改了辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图（见图1）细化了辐射强度空同分布和半强度角的测量步骤（见5.半强度角测量方法的规定条件补充了辐射强度空间分布禾请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：SJ/T2658.9—1986。 SJ/T2658.9—2015半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2900.65—2004电工术语：照明GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.8半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度CIE127：1997技术报告LED测量3术语和定义GB/T2900.65—2004和GB/T15651—1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1辐射强度空间分布spatialdistributionof radiantintensity器件在规定的正向工作电流下，垂直和平行p-n结方向的辐射强度随空间角的分布。4一般要求测量辐射强度空间分布和半强度角的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图见图1。 SJ/T2658.92015IFD;D,D1DUPD轴PDC角度盘Z轴说明：DUT被测器件；G电流源；RA电流表；TION的光果PD包括面积JD的光度探测器°；D2, D3消除杂光2体角：3d被测LED器与光阑8TEZ轴被测器件的光0Z轴轴之间的夹a被测器件应定中装置上足够的：99光轴上的角度盘角度盘应该有的角度刻度精度），NOI要求如下：被测器件工准确重复；a)b）变化角度学窗口能保持质定旋O能测量夹角c)d)能绕被测器件抽旋车e）能测量关于x由的b对于脉冲测量，电流源应提供所要求的幅度、宽度和重复频率的电流脉冲RDS应足够小°探测器响应时间相对于脉冲系统应是一个峰值测量仪导d距离d应按CIE127：1997标准条件A或B设置a）标准条件A：d为316mm，立体角为0.001s平面角b）标准条件B：d为100mm，立体角为0.01sr，平面角（全角）为6.5。图1辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图5.2测量步骤辐射强度空间分布和半强度角的测量按下列步骤进行：按图1连接测量系统，系统光轴对准被测器件的机械轴（或按SJ/T2658.8中5.2任意选择一a)种状态），定义为0=0；调节恒流源，使工作电流I为规定值，测量光探测器(PD)的信号，把辐射强度数值设为Ivo；b)从0°至土90°旋转角度盘，按规定的角度间隔测量各个角度时的辐射强度数值Iv()，得到比c)值Iv(①)/I