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对于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻 导读：：本文分析和报告了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术 制备的宽度在 20纳米至 250 纳米之间的铁磁金属薄膜纳米连接在不同温 度下的磁电阻现象和I-V特性，比拟了铁磁金属薄膜纳米连接磁电阻的比 例与其宽度之间的关系，得出了在我们所制备薄膜纳米连接样品的尺度范 围内，样品的导电行为仍然是金属导体导电行为，受量子化电导效应的 作用较小，并且我们所观察到的磁电阻现象主要是铁磁金属薄膜的各向异 性磁电阻行为。 ： 真空薄膜，铁磁纳米连接，各向异性磁电阻 0 引言 自从试验室里在铁磁金属线