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一种快闪存储器及形成方法，快闪存储器包括：衬底，所述衬底包括源线浮栅区和若干个字线位线区，所述源线浮栅区位于相邻的字线位线区之间，且所述源线浮栅区与字线位线区邻接；位于源线浮栅区内的第一源掺杂区；位于第一源掺杂区内和源线浮栅区内的第二源掺杂区，所述第二源掺杂区的离子浓度大于所述第一源掺杂区的离子浓度，且所述第二源掺杂区的深度大于所述第一源掺杂区的深度；位于源线浮栅区上的浮栅结构，所述浮栅结构位于部分第一源掺杂区上；位于源线浮栅区上的擦除栅结构，所述擦除栅结构位于第二源掺杂区上。所述快闪存储器的性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112086460 A
(43)申请公布日 2020.12.15
(21)申请号 202011157488.0
(22)申请日 2020.10.26
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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