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一种半导体激光器.pdfVIP

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  • 2023-08-09 发布于四川
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一种半导体激光器.pdf

    本发明公开了一种半导体激光器，包括：从下往上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；有源层包括阱层和垒层；有源层的阱层的电子有效质量小于垒层电子有效质量，有源层的阱层的自发极化系数小于垒层的自发极化系数，有源层的阱层的禁带宽度小于垒层的禁带宽度。本发明能够抑制高In组分半导体激光器的InN相分离、偏析和组分波动，能够有效提升有源层的晶体质量和界面质量，能够有效增强有源层电子空穴复合效率，以及能够有效降低缺陷与非辐射复合中心，从而能够有效提升绿光激光器的斜率效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116565695 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310662757.6 (22)申请日 2023.06.06 (71)申请人 安徽格恩半导体有

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