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一种磁性隧道结阵列及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-27 发布于四川
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一种磁性隧道结阵列及其制备方法.pdf

    一种磁性隧道结阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S10：提供基底；S20：在基底上形成底电极层、磁性隧道结层和硬掩膜层；S30：对磁性隧道结层和硬掩膜层进行图案化；S40：使氰基自由基的前驱体气体在等离子体中形成氰基自由基，将氰基自由基与磁性隧道结层和硬掩膜层的材料进行化学反应和/或采用氰基自由基对磁性隧道结层和硬掩膜层的材料进行化学修饰，并采用惰性气体离子将化学反应产物和/或被化学修饰的材料和/或未发生化学反应并且未被化学修饰的磁性隧道结层和硬掩膜层的材料移除，得到磁性隧道结阵列。本申请的制

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116568120 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202210106393.9 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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