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提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:第一导电类型半导体层,其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆;多个有源层,其分别形成在多个杆的上表面上;多个第二导电类型半导体层,其分别形成在多个有源层的上表面上;绝缘间隔件,其共形地形成在多个杆之间,围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁,并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分;第一电极层,其与第一导电类型半导体层的下部接触;以及第二电极层,其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116564989 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310060133.7
(22)申请日 2023.01.17
(30)优先权数据
10-2022-0015072
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