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一种以碱金属盐生长高密度单壁碳纳米管水平阵列的方法.pdfVIP

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  • 2023-08-09 发布于四川
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一种以碱金属盐生长高密度单壁碳纳米管水平阵列的方法.pdf

    本发明提供一种以氢氟酸处理获得多活性位点基底来直接生长基于碱金属催化剂的高密度单壁碳纳米管水平阵列方法，所述直接生长高密度单壁碳纳米管水平阵列的制备方法如下：（1）采用一定浓度的氢氟酸对基底表面进行处理，使基底产生更多可以锚定催化剂的活性位点。（2）采用冷凝沉积法加载催化剂于步骤（1）的基底表面，使催化剂密度远高于常规未处理的基底。（3）将步骤（2）中加载有高密度的催化剂基底用于化学气相沉积生长单壁碳纳米管水平阵列。采用本方法所制备的单壁碳纳米管水平阵列密度高达到10根/微米，远高于一般非金属催

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116553530 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310663871.0 (22)申请日 2023.06.06 (71)申请人 温州大学 地址 325035 浙

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