一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法.pdfVIP

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2023-08-09 发布于四川
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一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法.pdf

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本发明提供一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法，包括料盒、生长室、分散装置、输送组件等装置，上下两个生长室均与下方的料盒相连通，料盒内的粉体开始分解升华，输送至生长室内完成凝华结晶，在两个单独的生长室内能够连续完成两个碳化硅晶体的制备，可以在单一生长周期内同时制备个碳化硅单晶体，有效提高生产效率，降低了生产制造成本。该发明能够在上下两个生长室内同时生长出碳化硅晶体，并且保证了远离料盒一侧碳化硅晶体生长得均匀一致，保证了碳化硅晶体的质量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116555900 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310675595.X (22)申请日 2023.06.08 (71)申请人安徽微芯长江半导体材料有限公司地