SJ_T 11516-2015薄膜晶体管（TFT）用掩模版规范.pdf

ICS 31. 030L 90备案号：50573-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11516—2015薄膜晶体管（TFT）用掩模版规范Specification for thin film transistor(TFT) mask2015－10 -01 实施2015-04- 30 发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 11516—2015言前本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准主要起草单位：深圳清溢光电股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院。本标准主要起草人：万承华、张沛、熊启龙、王香、张莹、朱文娟。 SJ/T 11516—2015薄膜晶体管（TFT）用掩模版规范1范围本标准规定了薄膜晶体管（TFT）用掩模版产品的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和储存。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB50073—2001＇净化广房设计规范.GB191包装储运图示标志GB/T16880--1997光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则GB/T2828.1=--2003计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划微电子学光掩蔽技术术语SJ/T 10584-=1994铬版及其测试方法SJ/T 10857-1996玻璃及铬版表面平整度的测试方法SJ/T 10858---1996铬版铬膜和胶膜厚度的测试方法SJ/T 10859--1996铬版铬膜表面反射率的测试方法SJ/T 10860--1996铬版光密度的测试方法SJ/T 10861-19963术语和定义下列术语和定义适用于本文件3.1thin fim transistor (TFT)薄膜晶体管（TFT）在基板上采用半导体薄膜工艺制成的晶体管。3.2薄膜晶体管用掩模版thin fim transistor(TFT)mask承载有薄膜晶体管设计版图的，可通过曝光工序进行图形转移复制TFT各层电极版所使用的母版。3.3CD精度 critical dimension accuracy图形中特征线条制作宽度与设计值的偏差，用来表征整版特征线宽均匀性。1 SJ/T 11516—20153. 4位置精度position accuracy图形坐标位置、总长尺寸和套合实际值与设计值的偏差。3.5最小线宽/间距minimum line/space设计版图中最小的线宽/间距的设计尺寸。3.6最小缺陷 minimum defect掩模版有效图形区域的最大允许缺陷尺寸。3.7斑痕缺陷 Mura由产品的不均匀性等因素所显现，肉眼可觉察到的各种斑痕缺陷。3.8保护膜 pellicle具有耐光性和高透光率的掩模版保护膜。4产品分类薄膜晶体管用掩模版分类如下：按用途可区分为 TFT-Array用掩模版和 TFT-CF 用掩模版;a)b)按尺寸从小到大对应为不同世代，见表1。注：分类与世代的划分，由用户要求的图形、精度和尺寸来决定。表1薄膜晶体管用掩模版世代与尺寸对应表尺寸世代mmxmm1G330×4002G330x4503G390×6104G500×750、520×6105G520×8006G800×920、850×12007G8G1220×14009G10G1870×16202 SJ/T 11516—20155技术要求5.1材料薄膜晶体管用掩模版由铬版基材和铬膜组成，其中铬版基材为合成石英玻璃，铬膜包括铬层和氧化铬层。材料应符合以下要求：a）铬版基材表面平整度：对于 TFT-Array用掩模版，表面平整度为≤20 um，对于 TFT-CF 用掩模版，表面平整度为≤30um;铬版基材表面不得有裂纹、异物、气泡、凹陷、凸痕、擦痕、划伤、雾点，边缘不得有崩边、b)崩角;c)铬膜厚度：100 nm±10 nm;d)铬膜反射率：在入=436 nm处，10%± 5%;e)铬膜光学密度：在^450 nm处，3.0 ± 0.3。5.2外观质量外观质量应符合以下要求：TFT-Array用掩模版使用的保护膜不得有破损、皱纹、污现象，保护膜框架和铬版基材接触a)面不得有脱落;b）不得有图形丢失、错位和斑痕缺陷。5.3图形尺寸图形尺寸和公差应符合以下要求：a）长度、宽度公差：±0.30mm;b)厚度公差：±0.2mm;c)直角度公差：土5;尺寸及其精度，包括最小线宽/间距、CD精度、位置精度，一般是根据用途来决定设计值，实d)际制作的薄膜晶体管用掩模版图形尺寸设计值及其精度由供需