原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开涉及穿过至少两个金属层的气隙以及相关方法。公开了形成包括延伸穿过至少两个金属层的气隙的半导体器件的方法，以及这样形成的半导体器件。在开口的侧壁上使用电介质衬里层，以确保均匀的宽度并且在扩大用于形成气隙的开口期间保护特定帽层。气隙包括气隙侧壁上的电介质衬里层的残余物。与仅单个金属层中的气隙或不同层中的堆叠气隙相比，该气隙减小了器件层中的晶体管栅极与用于接触晶体管的源极和漏极的相邻布线和过孔之间的电容。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116564884 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310052124.3
(22)申请日 2023.02.02
(30)优先权数据
17/649954 2022.
文档评论（0）