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本发明提供一种高密度互连的封装结构及其制备方法，包括：提供芯片，其表面具有以第一间距间隔的第一金属阵列和以第二间距间隔的第二金属阵列；提供表面具有第三金属阵列的硅连接体，将硅连接体键合至芯片表面；形成模塑层，覆盖包裹芯片和硅连接体；研磨模塑层和硅连接体，形成超薄硅；于模塑层中形成通孔并填充金属材料，金属材料与第二金属阵列一一对应相连；形成金属柱结构，将金属柱结构连接至有机衬底。本发明采用超薄硅作为中间连接体，实现了高密度互连芯片之间10um及以下间距的精细互连。在非芯片互连区域，通过在模塑层中制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114937608 A
(43)申请公布日 2022.08.23
(21)申请号 202210398244.4
(22)申请日 2022.04.15
(71)申请人 盛合晶微半导体（江
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