SJ_T 2658.14-2016半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温.pdf

ICS 31.260L53SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.14—2016半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 14: Junction temperature2016-06-01实施2016 - 01-15 发布发布SJ中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.14—2016前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：第1部分：总则；第2部分：正向电压；一第3部分：反向电压和反向电济一第4部分：总电容NDNRORMATION第5部分：串联电阻，第6部分：富时通量：第7部分第8福射强度C第9区福射强度角；ATECHNOLOG部调制第响应分峰值2时波长利小带宽；13部辐射功1R结温1部分热阻162第1光电转SJ本部分为658的第14部分。本部分依GBT-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》白的规定编写。请注意本文供的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。D本部分起草单位：化部电和信本部分主要起草人：张戈赵 SJ/T2658.14—2016第14部分：结温半导体红外发射二极管测量方法，第1范围本部分规定了半导体红