SJ_T 11497-2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法.pdf

ICS 29. 045H 83S备案号：50554-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11497—2015砷化晶片热稳定性的试验方法Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers2015 - 10-01 实施2015 - 04 - 30 发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 11497—2015言前本标准按照GB/T1.1-2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：何秀坤、董彦辉、刘兵、李翔、付雪涛。W5-0 3S囍2T家1-ST SJ/T 11497---2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法1范围本标准规定了半绝缘砷化镓（GaAs）晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在10°2·cm～10°Q2·cm范围半绝缘砷化镓单晶材料的热稳定性试验。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T11488半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3. 1保护退火Protection of annealing在退火过程中使用保护层（通常采用氮化硅或二氧化硅）对砷化镓样品表面进行保护，从而减少砷蒸气从样品的表面升华。3. 2相邻退火‧Adjacent annealing将样品置于两片相同的砷化镓之间进行退火,从而减少退火过程中蒸气从样品的表面损失。3.3热稳定性Thermal stability同一样品退火试验前后的体积电阻率比值。4　方法通过热退火前后半绝缘砷化镓相邻晶片体积电阻率的变化来表征材料对热处理的敏感性，即材料的“热稳定性”。5干扰因素退火温度、退火时间、保护气氛和退火炉洁净度等均会对试验结果产生影响。 SJ/T 11497—-20156试验装置6.1加热系统用于加热试样至850℃，在一定的流量气氛中维持该温度，可在30min内冷却至低于100℃，如图1所示。加热系统的构成主要包括：a）翻盖式或者管式的规范热源。可以在流气状态下,加热长度为样品区2倍的区域，并维持温度在850 ℃±3 ℃;b)石英管。长度是加热炉整体加热区域长度的2倍，并具有足够大的直径，可以放置待试验样品；c)可迅速将样品和载舟推入或拉出退火炉加热区的装置；d)可拆卸尾端帽；e)可提供混合气体或纯化的氢气、氩气或氮气的装置850℃退火它样品和载舟进气口可拆卸尾端帽石英管=- -图1＇典型加热炉示意图:6.2安全防护装置试验区域应有安全防护设施，以确保有害气体泄漏时能及时排放。6.3样品托个小型舟用来放置砷化镓样品于退火炉中，应能稳定以使试验片和样品防护盖可以堆积，同时应耐热并不释放杂质污染样品，可采用氧化铝或石英做样品托。7试验程序7.1样品制备制备两组平行样品，一组按SJ/T11488《半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法》进行退火前样品电阻率测量，另一组进行热退火试验。7.2热退火预处理对欲退火组试样，在H2O2：H2O：H2SO4的体积比为1：1：10组成的溶液中腐蚀10 min，用去离子水冲洗2min，干燥待用。7.3热处理把干燥过的样品放在退火炉中的样品托上并推入恒温区。将纯净的性气体(高纯氩气或高纯氮气)2 SJ/T 11497—2015微正压通入退火炉，排除炉内残余空气，这个过程需要30min。开启氢气并停止惰性气体。开启加热炉升温至850℃开始计时，温度退火30min后停止退火炉加热，样品在继续通入氢气1小时冷却后改用惰性气体冷却至室温。7.4退火后样品电阻率测定从退火炉中取出热处理样品，用金刚砂研磨去除样品表层，按SJ/T11488进行退火后样品电阻率的测量。8 计算样品热稳定性因子r由公式（1）计算：(1)r=p/p式中:-热稳定性因子;r热处理前后电阻率，Q·cm。P,P29报告报告应包括如下内容：样品来源；a）样品编号、名称、规格型号；b)c)退火条件;测量仪器型号；d)e)测量结果；测试者姓名、测试单位、测试日期。f)3 中华人民共和国电子行业标准砷化镓晶片热稳定性的试验方法SJ/T 11497---2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010