SJ_T 2658.16-2016半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率.pdf

ICS 31.260L 53SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准ST/T 2658.16—2016半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 16: Photo-electric conversion efficiency2016-06-01实施2016-01-15发布发布中华人民共和国工业和信息化部 ST/T2658.16—2016前 言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：第1部分：总则；第2部分：正向电压；一第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；ANDDINPORMATION第5部分：串联电阻；R第6部分：辐射项G第7部分：第8部分用第9部TECHNOLO第10调制带第11分响应时第1部分峰值发8第13辐射功部分第14结温；第13部分热阻；第16部2光电转换本部分为SJ/T258的第16部分。本部分依据GB/T2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编的规定编写。专请注意本文件的某些丙容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些些专利的责任。本部分由工业和信息化部电工业标准化研究院归口。SRD本部分起草单位：工业信息化部电子工业标准化研究限本部分主要起草人：张这英ANDA ST/T2658.16—2016半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率3一般要求测量光电转换效率总的要求应符合SJ/T2658.1。4测量方法4.1测量原理本方法通过测量被测器件辐射光功率与输入电功率的比值确定光电转换效率。4.2测量步骤光电转换效率的测量按下列步骤进行：a）按SJ/T2658.6中的测量步骤进行被测器件辐射功率Pout的测量；b):在被测器件两端加电压表；调节电流源，使正向电流I为规定值，读取电压表示数并按该仪器校准规则修正后得到被测c)器件的正向电压值VF;d):按公式（1）计算光电转换效率：P(1)n=Pou/Pinx100%.V,.IF式中：被测器件的光电转换效率；nPout-被测器件的辐射功率，W； ST/T2658.16—2016-被测器件的输入功率，W；Pin正向电流值，A；IFVF正向电压值，V。4.3规定条件有关标准采用本方法时，应规定以下条件：a)环境或管壳温度；b)正向电流（直流或脉冲）I。INRORMATIONUTECHNODOGYLZIRDSN一D2 9—1859中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率SJ/T 2658.16—2016*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1开本：880×1230）1/16印张：字数：12千字22016年6月第一版2016年6月第一次印刷印数：200册定价：20元版权专有不得翻印举报电话：（010