SJT 10065-1991BT33型PN硅单结晶体管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范BT33型PN硅单结晶体管SJ/T 10065-91Detail specification for electronic componentPN silicon unijunction transistors for type BT 33（可供认证用）本规范规定了BT33型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容，它是按照GB/T13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。本规范符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560《半导体分立器件分规范》的要求。中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施 SJ/T 10065-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质的根据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路SJ/T10065—91总规范》GB12560《半导体分立器件分规范》BT33A.BT33B.BT33C.BT33D.BT33E.BT33F型PN硅单结晶体管详细规范订货资料：见本规范第7章1机械说明2简略说明外形标准：GB7581《半导体分立器件外形尺PN硅单结晶体管寸》中代号A3-02B半导体材料：N型硅外形图及引出端识别：封装：金属(空腔）8.64~9.39应用：适用于双稳态线路，电压偏置线路，时间线路及点火和振荡线路8.01~8.503质量评定类别1类82参考数据：（ Tamb=25℃S7~Ptot(T)= 450 mW2↑ : 0. 30~0. 55(A B)0. 45~0. 75(C D)0. 65~0.90(E F)Vemi ≤4 V1s2 : 5~35 mA公称尺寸：单位mm标志：见本规范第6章2 SJ/T 10065---914极限值(绝对最大额定值)数值符条文号极限值号单位最小值最大值4. 1175Tamb~ 55℃工作环境温度4. 2Tstg55175℃贮存温度v4. 320最高基极电压①VB2B1(MAX)4. 4耗散功率4.4.1T (vi)175℃最高有效(等效)结温4.4.2450与温度相关的最大总耗散Ptot(T)mW功率②注：①见附录B，其中Rs1=200。②Tamb25℃，Ptot按3mW/C线性降额。5.电特性检验要求见本规范的第8章特性和条件数值位条文号符号单除非另有规定检验组别最小值最大值Tamb=25℃5. 1分压比A2bnVB281 = 20 V0. 300. 55BT 33 A,BBT 33 C、D0. 450. 750. 650. 90BT 33E、F5. 2基极间电阻RgskoA2bVs281 20 VIg = 03BT 33 A、C、E65BT 33 B、D、F125. 3发射极与第二基极间反μAA2bIeB20-1向电流VeB2 = -60 VIgl = 05. 4发射极饱和压降VeB!VA2b4, Vs281 =20 VIg50mA SJ/T 10065-91(续表)特性和条件数值符号单位条文号除非另有规定检验组别最小值最大值Tamb=25℃5.5535基极间调制电流Is2mAA2bVB21 = 20 VIg =50 mA25. 6IpA2b发射极峰点电流μAVB2B1 20 V5.7Iv1. 5mAA2b发射极谷点电流VB2B1 = 20 VRp2 100 Q5.8Vv3.5V谷点电压A2bVz21 = 20 vR2 = 100 Q6标志6.1器件上的标志型号和质量类别（放在型号后面）；a.b.制造厂商标；检验批识别代码；c.d.认证合格标志(适用时)。6.2包装盒中的标志；a．重复器件上的标志；b.“防湿”等。7订货资料型号；a.b．本规范编号；c． 其它。 SJ/T10065—918试验条件和检验要求A组-逐批全部试验是非破坏性的检查要求条件检验或试验数值引用标准除非另有规定1类单位Tamb == 25 CLTPD最小值最大值A1分组5目检5. 1. 1A2a分组1不工作器件Rab附录 A70. 3koVn2B1 =20 V, Ig录A3VB2B1 = 20 V0. 03A2b分组5M附录A3VBz2B1 = 20 V0. 30BT 33 A.B0. 55BT 33 C. D0. 450. 75BT 33.E.F0. 650. 90ReB附录A7VB281 20 V, Ig 0ko263BT 33 ACE5BT 33 BDF12 I es20附录A8Vep2u = - 60 V-1μAIsi = 0Vse!附录A4VB2BI = 20 VV4Ig=50mA I n2Va2l = 20 V355mAIg = 50 mAIp附录 A 5VB2B1 = 20