- 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
L 32SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10481 --94硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法Test method for resistivity of silicon epitaxiallayers by area contacts three-probe techniques1994-10-01实施1994-04-11 发布中华人民共和国电子工业部.发布
中华人民共和国电子行业标准硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法SJ/T 10481--94Test method for resistivity of silicon epitaxiallayers by area contacts three-probe techniques主题内容与适范围本标准规定了测定硅外延层电阻率的面接触三探针方法(以下简称面接触法)。本标准适用于 0.06-60Qα cm的 N/N*或 P/P+型硅外延层电阻率的测量。引用标准SJ1550硅外延片检测方法GB1550硅单晶导电类型测定方法GB1552硅单晶电阻率的直流四探针测量方法3 术语3.1 雪崩击穿电压 avalanche breakdown voltage外延层的反向伏-安特性曲线中达到的最大电压,如图1所示。30[20(vw)I101o L1002003004000VBa (V)图 1反向伏-安特性曲线3.2 耗尽宽度 deplation width在金属-半导体接触附近的半导体区域内的宽度。在此宽度内,载流子几乎耗尽。对于面接触阶跃型模型,耗尽宽度与雪崩击穿电压和杂质浓度有关:t mina = 3.61 × 107( VBao / N)1/2(1)中华人民共和国电子工业部1994-04-11批准1994-10-01实施
SJ/T 10481-94式中: tmina一耗尽宽度,μm;VEaoo雪崩击穿电压,V;N一一外延层杂质浓度,原子数/cm²。3.3 变化系数 variation coefficient兰 一[一)271/2(2)表示电阻率相对波动的大小。式中:变化系数,%;一平均电阻率值,n*cm;p-一第i次测量电阻率值,n·cm;P:-测量次数。n -4方法提要金属与半导体接触的反向雪崩击穿电压VB与半导体电阻率β具有单值函数关系。假设外延层和单晶服从相同的雪崩击穿电压-电阻率关系,则可以借助一套已知电阻率的单晶样块,作出 VBa~β 的校准曲线 B,当测得外延层的面接触雪崩击穿电压 VBa后,即可通过此校准曲线 B,定出该外延层的电阻率 po5 测试装置5.1外延片电阻率测试装置测试装置原理图如图2所示。8图 2 2测试装置原理图1.3探针:6:显示装;7:样品外延层;2:汞球探针;4:恒流源;8:样品衬底。5:取样电阻;5.1.1恒流源:提供交流、直流或脉冲的电源,最大电压不低于300V(峰值)。5.1.2显示装置:測量雪崩击穿电压用,采用示波器、数字电压表或峰值电压表,电压测量准确度在整个电压量程内要求为±5%。显示仪器的输入阻抗不小于10MQ。5.1.3取样电阻:阻值在10~10000之间,准确度要求在±1%之内。5.1.4探针2
SJ/T 10481-945.1.4.1图2中1、3探针材料应选择硬度大、电阻率低的材料,如钨、、高速工具钢以及磷青铜合金等。它和硅单晶或外延层形成欧姆接触。5.1.4.2图2中的2汞球探针由银针及其顶端的汞球构成,为面接触探针。它和硅单晶或硅外延层形成整流接触。5.1.4.31、3两支探针为S形,富有弹性,其针尖直径为0.4mm。针头部应经高度抛光,在400倍显微镜下看不到缺陷、尘埃和污点(目镜不超过12.5倍)。5.1.4.4银针2的直径为1.0±0.1mm。银针头部同探针1,3处理要求相同。5.1.4.5探针1,3压力选定在0.5~1.0N之间。5.1.4.6在面接触雪崩击穿条件下,要求探针1,3到银针距离大于突变结的耗尽层宽度的10倍。银针2的中心点和探针1,3的距离要相等。5.1.4.7面接触探针头的形成:探针1,3和银针2要保证在同一条直线上,且探针1,3伸出探针座的长度一定要相等。银针2伸出探针座的长度比探针1,3短1.5mm左右,在银针顶上吸上如.5±0.1mm的清洁汞球,便形成了面接触探针头。5.2加工清洗设备和校准设备5.2.1半导体工业通用的切割和研磨半导体晶体的设备和半导体片清洗、腐蚀、化学抛光的设备。5.2.2带洗涤池或其他安全配置的化学通风橱处理挥发性试剂和酸。烧杯和容器由不怕化学制品侵蚀的聚乙烯或碳氢聚合物材料制成。5.2.3电阻率测定符合 GB1552共线四探针阵列测量硅片电阻率的设备。5.2.4导电类型测定符合GB1550的测量设备。5.2.5厚度测量符合 SJ 1550的装置。6 试剂和材料
您可能关注的文档
- QB_T 1382-2014葡萄罐头.pdf
- SC 2002-2002对虾配合饲料.pdf
- QBT 2303.13-2008电池用浆层纸 第13部分:抗张强度的测定.pdf
- SYT 6684-2007气田商业评估技术要求.pdf
- SN_T 3392-2012国境口岸莱姆病螺旋体检验规程.pdf
- SN_T 4283.2-2015国境口岸微孔板基因芯片检测方法 第2部分:结核分枝杆菌及katG和rpoB耐药变异基因.pdf
- SY 4211-2009石油天然气建设工程施工质量验收规范 桥梁工程.pdf
- QB_T 2681-2014食品工业用不锈钢薄壁容器.pdf
- QC_T 1058-2017汽车用指纹识别装置.pdf
- YDT 1843.6-20092GHz TD-SCDMA数字蜂窝移动通信网 高速上行分组接入(HSUPA)Uu接口物理层技术要求 第6部分:物理层测量.pdf
最近下载
- 牙齿健康和龋齿预防科普知识ppt(共67张PPT).pptx VIP
- 2024年10月 政法干警锻造新时代政法铁军专题研讨班发言材料.docx VIP
- 反恐验厂-危机管理和应急恢复计划.doc
- 2024.10 政法干警锻造新时代政法铁军专题研讨班发言材料.docx VIP
- 六年级上册快乐读书吧知识测试题及答案.pdf VIP
- 北京字节跳动科技有限公司运营模式分析及发展趋势预测研究报告.docx VIP
- 《财务风险管理—以乐视公司为例》10000字.docx
- 人教八年级上册物理《光的反射》PPT教学课件.pptx
- 信息资源管理专业毕业设计论文:信息资源管理在学校教育中的应用研究.docx VIP
- 网络安全项目网络建设方案.doc
文档评论(0)