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本实用新型公开了一种无接触传输产线上的硅片缓存装置，属于硅片缓存技术领域，该缓存装置设置于无接触传输产线的型材上，包括定位组件与升降花篮，所述定位组件包括定位气缸与位于所述定位气缸活塞杆端的限位块，所述定位气缸通过安装块与型材固定连接，所述限位块对硅片进行定位阻挡；所述升降花篮包括花篮架体与花篮支柱，所述花篮架体呈竖向设置且为升降式结构，所述花篮支柱固定安装于所述花篮架体上，对硅片进行支撑缓存。当硅片被传送至缓存位置的取片位时，无接触传输产线停止，硅片由于惯性作用会继续向前运动，直至被定位气缸上
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219506990 U
(45)授权公告日 2023.08.11
(21)申请号 202320668457.4
(22)申请日 2023.03.30
(73)专利权人 上海昶火微电子科技有限公司
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