用于超高密度芯片FOSiP封装的结构.pdfVIP

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2023-08-12 发布于四川
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用于超高密度芯片FOSiP封装的结构.pdf

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本实用新型涉及一种用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，从上至下依次设置塑封层、精密铜互联层和重新布线层，塑封层内塑封有若干带有金属触点的芯片或器件，精密铜互联层具有由双凹槽构成的互联结构，沿塑封层表面垂直方向靠近塑封层的截面大小小于远离塑封层的截面大小，重新布线层在其介电层所在一层形成能够和精密铜互联层电学互联的金属连接结构，金属连接结构穿过介电层并延伸出有机物介电层部分作为触点，触点上设置锡球。采用本实用新型的设计方案，可以把具有超精细引脚结构的高端精密裸芯片方便地进行扇出型集成封装，也进一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210073829 U (45)授权公告日 2020.02.14 (21)申请号 20192