一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚.pdfVIP

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2023-08-12 发布于四川
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一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚.pdf

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一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚，涉及坩埚技术领域，具体包括第一层坩埚和第二层坩埚，所述第一层坩埚内壁上加工有台阶肩，所述台阶肩上放置有第二层坩埚，所述第二层坩埚放置在所述第一层坩埚内部，所述第一层坩埚顶部设置有坩埚盖，所述坩埚盖下方设置有籽晶层；本实用新型通过设置两层坩埚，第二层坩埚设置在第一层坩埚内部，不改变坩埚大小，在第二层坩埚底部支撑部上加工有镂空气相孔，增加原料与气相区域接触的界面，使该界面处反应的界面扩大，将能起到提高反应速率，增加生长效率的作用。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210065980 U (45)授权公告日 2020.02.14 (21)申请号 20192