固体物理中科大.pptVIP

在PN结的N型区，在杂质激发范围内，电子浓度远高于空穴浓度，其EF应在带隙的上半部，靠近导带底；而在P型区，空穴浓度远大于电子浓度， EF在带隙的下半部接近于价带顶。即(EF)N(EF)P，于是电子将从EF高的N型区流向P型区，在PN结的界面上产生电荷的积累，形成一定的接触电势差。 第六十二页，共九十五页，2022年，8月28日 这个接触电势差使得P型区相当于N型区具有负的电势－VD，从而使P型区中电子的静电势能提高了eVD，即P型区的整个电子能级上移了， eVD恰好补偿P型区与N型区EF原来的差别，即 使两边的费米能拉平。 平衡时，在接触界面处形成了一能带过渡区，在此区域内，电子和空穴的分布破坏了原来的电中性，形成一空间电荷区，其宽度约为~10－6m的数量级。此区域的强电场对N型区的电子和P型区的空穴都是一个高为eVD的势垒，称为平衡PN结势垒。 第六十三页，共九十五页，2022年，8月28日 建立稳定的PN结势垒后，从N型区进入P型区电子的浓度nP0为 其中， nN0为N型区电子的平衡浓度。同理，进入N型区的空穴浓度pN0为 这里， pp0为P型区中空穴的平衡浓度。由此可知，在空间电荷区中，电子（空穴）浓度由N（P）型区的nN0（ pp0 ）按指数形式衰减到P（N）型区的nP0 （ pN0 ）。在平衡PN结中，载流子的扩散和漂移