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CCZ连续拉晶坩埚.pdfVIP

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  • 2023-08-15 发布于四川
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CCZ连续拉晶坩埚.pdf

    本实用新型提供了一种CCZ连续拉晶坩埚，属于半导体材质制备技术领域，包括外坩埚和坩埚内环，外坩埚用于容纳待熔融的硅料；坩埚内环设置于外坩埚内，下端与外坩埚内壁相抵，其内部形成用于晶体生长的生长空间，其外部与外坩埚之间形成用于容纳硅料的加料空间，坩埚内环上设有用于熔融的硅料进入生长空间的通料孔。本实用新型提供的CCZ连续拉晶坩埚，能够延长坩埚使用寿命，提高单晶硅质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210104124 U (45)授权公告日 2020.02.21 (21)申请号 20192

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