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本发明提供一种人造金刚石的制备方法、制备得到的人造金刚石及其应用。本发明将半导体PN结的光催化反应引入金刚石的合成反应中，利用半导体PN结在光催化激发后产生的具有强氧化性的空穴，与氧化剂共同作用，能够在较低的温度和压力下即可将碳源转化成金刚石。本发明的金刚石在整个结晶碳生长过程中均不需要极端条件（例如，非常高的电压、温度或压力），降低了成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116588930 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310869929.7
(22)申请日 2023.07.17
(71)申请人 深圳道童新能源有限公司
地址 5
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