一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-08-16 发布于四川
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一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件制造方法，包括：在衬底上外延形成基层区；在基层区中形成第一沟槽；在第一沟槽内表面形成P型层；在P型层内填充多晶硅；在第一沟槽上方形成第二沟槽；在第二沟槽中形成栅结构。相应公开了一种沟槽型MOSFET器件，包括：衬底、基层区、第一沟槽和第二沟槽；基层区位于衬底上表面，第一沟槽位于第二沟槽正下方，且均设置在基层区内；第一沟槽的内表面形成有P型层，P型层中填充有多晶硅。利用超结概念获得更小的开通电阻，采用分离型沟槽多晶硅技术减少了栅极到漏极的米勒电容，可制造出结构

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116598205 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202310875766.3 (22)申请日 2023.07.18 (71)申请人凌锐半导体（上海