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可控硅整流器装置.pdfVIP

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  • 2023-08-16 发布于四川
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可控硅整流器装置.pdf

    本实用新型公开了一种可控硅整流器装置。可控硅整流器装置包括第一硅外层、第二硅外层、第一硅中间层和第二硅中间层。第一硅外层被耦合到第一硅中间层。第一硅中间层被耦合到第二硅中间层。第二硅中间层被耦合到第二硅外层。可控硅整流器装置还包括被耦合到第一硅外层的阴极端子和被耦合到第一硅中间层的栅极端子。一个或多个第三硅层被耦合到第二硅外层。阳极端子被耦合到一个或多个第三硅层和第二硅外层。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219534533 U (45)授权公告日 2023.08.15 (21)申请号 202223202076.1 (22)申请日 2022.11.30 (73)专利权人 力特半导体（无锡）有限公司 地址

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