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- 2023-08-16 发布于四川
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本发明提供了一种Mo基金属薄膜的刻蚀方法，包括以下步骤：S1）在半导体衬底上依次形成停止层与Mo基金属层；S2）在Mo基金属层上方制备掩膜层；S3）然后通过干法刻蚀工艺基于上述掩膜层对Mo基金属层进行刻蚀。与现有技术相比，本发明提供的刻蚀方法使用常规工艺参数获得高角度的Mo，对光刻胶层具有较高的选择性，因此对光刻胶厚度及形貌要求较低且容易去胶，从而降低了生产成本；另外由于Mo基金属对停止层也具有较高的选择比，因此也可获得较高的刻蚀均匀性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598200 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310880515.4
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 江苏鲁汶仪器股份有限公司
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