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一种封装结构的形成方法包括：提供转接基板，包括第一导电衬垫，且第一导电衬垫暴露于转接基板的第一表面；提供器件基板，包括无源器件层及覆盖无源器件层的第一重布线层，无源器件层包括无源器件，第一重布线层包括第二导电衬垫，第二导电衬垫与无源器件电连接，且第二导电衬垫暴露于第一重布线层的第一表面；以转接基板的第一表面及第一重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将转接基板与器件基板键合；自器件基板背离转接基板的表面去除部分器件基板，形成凹槽，凹槽暴露出转接基板或第一重布线层；在凹槽内形成硅桥，硅桥包括
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598291 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310659565.X
(22)申请日 2023.06.05
(71)申请人 江阴长电先进封装有限公司
地址
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