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AlN薄膜外延片和AlN薄膜的制备方法及应用.pdfVIP

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  • 2023-08-16 发布于四川
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AlN薄膜外延片和AlN薄膜的制备方法及应用.pdf

    本申请属于半导体材料制备技术领域，公开了一种AlN薄膜外延片和AlN薄膜的制备方法及应用，先在硅衬底上沉积AlN缓冲层，可提高后续生长的AlN层的质量；在AlN层上生长抵抗层，由于抵抗层的晶格常数小于AlN层的晶格常数，在抵抗层生长后会对AlN层施加一个压应力，以缓解硅衬底对AlN层的张应力，同时，由于抵抗层的热膨胀系数大于AlN层的热膨胀系数，在降温过程中，抵抗层会对AlN层施加一个压应力，该压应力与硅衬底施加到AlN层的张应力起相反作用，从而缓解AlN层的张应力；因此，可减少AlN层的裂纹，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116590687 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202310881419.1 C23C 14/02 (2006.01)

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