半导体元件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.98万字
约 37页
2023-08-16 发布于四川
举报
版权申诉

半导体元件及其制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供一种具有复合导电特征和气隙的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含一第一导电部件和一第二导电部件，设置于一半导体基板的一图案密集区上方。该半导体元件也包含一第三导电部件和一第四导电部件，设置于该半导体基板的一图案稀疏区上方。该半导体元件更包含一介电层，设置于该半导体基板的该图案密集区和该图案稀疏区上方，其中该介电层位于该第一导电部件与该第二导电部件之间的一第一部分通过一气隙与该半导体基板分隔，且该介电层位于该第三导电部件与该第四导电部件之间的一第二部分与该半导体基板直接接触。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116598284 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202211433792.2 (22)申请日 2022.11.16 (30)优先权数据 17/670,751 2022