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一种薄膜晶体管有源层材料包括：半导体主体以及掺杂源，半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，掺杂源用于对非晶金属氧化物材料掺杂，掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于含氟量。本申请通过对非晶金属氧化物材料制成的有源层进行氟元素与氢元素的掺杂，钝化有源层中的缺陷，提高迁移率，提高电学稳定性，提高器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598344 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310481087.8 H01L 21/40 (2006.01)
(22)申请日 2023.04.
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