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本发明提供了一种半导体加工腔室和半导体加工设备,涉及芯片加工技术领域,为解决现有半导体加工腔室中反应腔室射频能量损耗和干扰的问题而设计。半导体加工腔室包括:由相对设置的腔底壁和腔体屏蔽罩形成的外腔体,位于外腔体内的至少一个反应腔室,与各个反应腔室分别对应的导电连接件,导电连接件用于电连接位于外腔体外部的射频电源;反应腔室包括:相对且间隔设置的上电极和下电极以及上电磁屏蔽罩,上电磁屏蔽罩位于上电极上方以屏蔽上电极的至少部分表面;导电连接件穿过上电磁屏蔽罩与上电极电连接。本发明提供的半导体加工腔室可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598183 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310485120.4
(22)申请日 2023.04.28
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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