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本发明提供一种喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备以及基片的处理方法，淋板一面为平面、另一面为非平面，可使得本体中部区域的厚度大于两侧区域的厚度，这样气道可以设置在本体的不同厚度处，使得位于中部的气道至喷淋面的距离大于两侧区域气道至喷淋面的距离，这样中部区域的喷淋路径较两侧区域的喷淋路径更长，而喷淋面的中部面向待加工基片的中部区域，喷淋面的两侧区域面向待加工基片的两侧区域，从而，可以通过喷淋路径长度不同，改善进气腔体的混气二次分配的效果，提高混气效率和均匀性，有利于镀膜均匀性的改善。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116590692 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310489360.1 H01L 21/02 (2006.01)
(22)申请日 2023.05.
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