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本发明涉及氮化镓生长相关技术领域，且公开了一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，包括石墨载盘底座和载盘盖板，所述石墨载盘底座上环形阵列设置有三个放置衬底的凸起圆形平台，载盘盖板上开设有与凸起圆形平台相适配的圆形通孔，载盘盖板盖设在石墨载盘底座上，凸起圆形平台嵌入对应圆形通孔内侧。该HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，对GaN的沉积有一定的钝化作用，能有效减小厚膜生长的边缘效应，提升氮化镓厚膜晶体质量及良率，过单炉多片厚膜的形式，同时得到3个毫米级或者厘米级的体晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116590792 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310497272.6
(22)申请日 2023.05.05
(71)申请人 无锡吴越半导体有限公司
地址 2
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