原创力文档- 3
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- 2023-08-17 发布于四川
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本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种基于TSV的多芯片的封装结构，多芯片封装结构包括互连结构；第一芯片，设置在互连结构上；转接板，设置在互连结构上，转接板与第一芯片位于互连结构上的同一侧，转接板的厚度大于第一芯片；第二芯片，第二芯片设置在转接板上，且与互连结构相对设置；以及，封装层。通过设置互连结构与转接板，转接板具有一定厚度，且第二芯片安装在转接板上，使得第一芯片与第二芯片可以处于两个不同高度的平面上，从而实现了多芯片之间的三维封装，与现有技术相比，本实用新型提供的封装结构中，第一芯片与第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210120135 U
(45)授权公告日
2020.02.28
(21)申请号 20192
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