一种基于Fano共振的温度传感器.pdfVIP

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  • 2023-08-17 发布于四川
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本实用新型公开了一种基于Fano共振的温度传感器,其特征是,包括自下而上顺序叠接的基底层和金属层,所述的金属层中设有互不不相通的第一谐振腔和第二谐振腔,其中,第一谐振腔为一个矩形腔与外形呈半圆形状的腔体合为一体的腔体,外形呈半圆形状的腔体位于矩形腔的中部,第二谐振腔为外形呈“T”形状的谐振腔,第一谐振腔和第二谐振腔中填充有感温介质。这种表面等离子传感器不仅体积小、响应快、制备过程简单、成本低,而且还能提高灵敏度和Q值、减少Fano共振谱线的半高全宽,从而实现生物、医学检测领域的纳米级传感。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210119307 U (45)授权公告日 2020.02.28 (21)申请号 20192

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