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- 2023-08-17 发布于四川
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本实用新型提供一种等离子体处理装置及单极静电卡盘。所述单极静电卡盘包括上部基体和下部基体;上部基体包括铝基体和陶瓷层,陶瓷层层叠在铝基体上表面;所述上部基体与所述下部基体层叠,固定连接为一体。等离子体处理装置,包括腔室,和在腔室内设置的单极静电卡盘。本实用新型将单极静电卡盘分成上下两个部分,可在维修的时候,仅将上部基体进行维修。相比整个单极静电卡盘,上部基体只包括气道,不包括冷凝剂通道,因此维修过程要封堵的孔道减少,降低了维修难度和工作量,同时避免在打磨、重新等离子喷涂等工序对下部基体的影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210120109 U
(45)授权公告日
2020.02.28
(21)申请号 20192
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