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本发明提供了一种半导体薄膜太阳电池及其制备方法。所述半导体薄膜太阳电池中的吸收层是由前驱膜和其上的阻挡层形成的前驱膜叠层在高温退火处理后形成。本发明通过在前驱膜上引入超薄的阻挡层后经高温退火处理制备吸收层，能够控制吸收层中的元素在高温过程中流失，抑制杂相生成，此外，阻挡层的引入可拓宽耗尽区宽度，从而增强载流子的有效收集长度，调控异质结处载流子的传输行为，获得合适的能带工程，增强器件的光电转换效率。本发明制备工艺简单，有效地解决了目前吸收层面临的高温退火阶段的元素损失与结晶问题，还解决了现有半导体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116613221 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310704822.7
(22)申请日 2023.06.14
(71)申请人 河北大学
地址 071002
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