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本文公开了一种电子器件和电路。该电子器件可包括：高电子迁移率晶体管的漏极电极，该漏极电极覆盖在沟道层上面；源极电极，该源极电极覆盖在沟道层上面，其中源极电极的最下部分覆盖在沟道层的至少一部分上面；和高电子迁移率晶体管的栅极电极，该栅极电极覆盖在沟道层上面；和电流限制控制结构，该电流限制控制结构控制通过漏极电极与源极电极之间的电流。电流限制控制结构可设置在源极电极与栅极电极之间，电流限制控制结构可以耦接到源极电极和第一高电子迁移率晶体管，并且电流限制控制结构具有阈值电压。电流限制控制结构可以是肖特
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210136874 U
(45)授权公告日
2020.03.10
(21)申请号 20192
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