- 1、本文档共17页,其中可免费阅读16页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型公开了一种浅沟槽隔离结构及半导体器件,包括:具有一顶部的衬底;位于所述衬底的顶部一侧至少有一个沟槽;沿所述沟槽的内壁依次有第一介电层、第二介电层和第三介电层,其中,所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的顶部,使所述第二介电层和所述衬底之间形成第一凹槽,且所述衬底对应所述沟槽的顶部的边缘角处呈弧面。由上述内容可知,本实用新型提供的技术方案,衬底对应沟槽的顶部的边缘处呈弧面,使得衬底对应沟槽的顶部的边缘处无陡峭尖角而更加圆滑,进而能够改善浅沟槽隔离结构的尖端放电问题,提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210142652 U
(45)授权公告日
2020.03.13
(21)申请号 20192
文档评论(0)