三极管饱和条件 .docxVIP

PAGE PAGE 1 三极管饱和条件 1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为推断临界饱和的条件。依据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应当取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越简单饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之掌握基极电流达到多少时三极管饱和？这个值应当是不固定的，它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,基极信号大小有关.另外一个应当留意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应当让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic（max）/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的状况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。饱和时VbVc，但VbVc不肯定饱和一般推断饱和的直接依据还是防大倍数，有的管子VbVc时还能保持相当高的放大倍数例如：有的管子将Ic/Ib10定义为饱和Ic/Ib1应当属于深饱和了用三极管可以考虑以下几点：1）耐压够不够2）负载电流够不够大3）速度够不够快（有时却是要慢速）4）B极掌握电流够不够5）有时可能考虑功率问题6）有时要考虑漏电流问题（能否“完全”截止）。7）增益