一种TOPCon双POLO电池结构的制备方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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一种TOPCon双POLO电池结构的制备方法.pdf

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本发明公开了一种TOPCon双POLO电池结构的制备方法，在硅片正背面形成双POLO结构，且正面为局部POLO结构。本发明将涂敷掩膜和激光结合，形成正面局部POLO结构，改善正面金属接触复合电流的同时避免电流损失，从而大幅度提升电池效率。本发明采用的无机氧化物掩膜，通过常规SE激光器激光即可轻松除去，激光对硅基体的损伤较少。本发明采用激光实现poly图形化的方案，与产线兼容性好。本发明可通过氢氟酸酸洗去除制绒后剩余的掩膜，可与制绒后常规酸洗合并在一起，不需额外的清洗设备和流程。本发明在形成正面局

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116613248 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202310732865.6 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人常州时创能源股份有限公司地址