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本实用新型涉及一种应用于MCU的EFT检测电路，包括：至少一个的检测单元；检测单元包括：依次连接的检测模块和延时缓冲模块；检测模块包括：MOS管、电阻和电容，MCU的电源线与检测模块连接，MCU有EFT干扰时MOS管的栅源两端产生电压差使MOS管导通；延时缓冲模块包括：MOS管、电阻、电容和反向器，电容在EFT干扰产生和结束时分别进行充电和放电；采用多个检测电路单元输出相与的方式，提高了检测的灵敏度，能够保证检测电路对不同幅度、类型的EFT干扰均具有良好的检测效果；通过调节电路的器件参数值，可以
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219552597 U
(45)授权公告日 2023.08.18
(21)申请号 202320519374.9
(22)申请日 2023.03.16
(73)专利权人 武汉瑞纳捷半导体有限公司
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