半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于第一金属间介电层内，形成一下电极层以及一固定层于第一金属间介电层上，形成一牺牲层于该固定层上，图案化该牺牲层、该固定层以及该下电极层以形成一第一磁性隧穿结(magnetictunnelingjunction,MTJ)，形成一第二金属间介电层环绕第一MTJ，再去除牺牲层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116615086 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202310507840.6 (22)申请日 2018.10.31 (62)分案原申请数据 201811286628.7