NMOS器件的制备方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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NMOS器件的制备方法.pdf

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本发明提供一种NMOS制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底。在介质层上形成应力层，与现有工艺中在两道侧墙完成之后沉积应力层相比，所述应力层与沟道之间距离缩短了，从而减少应力传递过程中的损失，增加了沟道的电子迁移率。然后，去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所述栅极结构的侧壁。以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺，再去除剩余的所述应力层。故所述NMOS器件的制

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111370313 A (43)申请公布日 2020.07.03 (21)申请号 20201